電子級氣體｜大宗氣體
二氧化碳 (Carbon Dioxide)
英文名稱：Carbon Dioxide
化學式：CO₂
用途：在半導體製造中，二氧化碳可用於蝕刻、電漿處理、以及作為某些化學氣相沉積 (CVD) 製程的反應氣體或輔助氣體。也常作為環境控制和冷卻用途。
特性：無色、無味、不可燃的氣體，比空氣重。在高濃度下會導致窒息。
氙（Xenon）
英文名稱：Xenon
化學式：Xe
用途：半導體製程：用於等離子體蝕刻（如DRAM和3D NAND製造）。
特性：無色、無味、無臭的惰性氣體。
氬氣（Argon）
英文名稱：Argon
化學式：Ar
用途：半導體製程：濺鍍（Sputtering）的惰性環境氣體，晶圓生長（如單晶矽）的保護氣氛。
特性：無色、無味、無臭，比空氣重（密度：1.784 g/L，STP），幾乎不與任何物質反應（標準條件下），不燃燒、不支持燃燒，化學穩定性極高。
電子級氣體｜特殊氣體
氧化亞氮 (Nitrous Oxide)
英文名稱：Nitrous Oxide
化學式：N₂O
用途：在半導體製造中，氧化亞氮主要用作化學氣相沉積 (CVD) 製程中的氧源，用於形成氧化矽等薄膜。
特性：無色、略帶甜味的氣體，具有助燃性。在高濃度下可能具有麻醉作用。
乙硼烷 (Diborane)
英文名稱：Diborane
化學式：B₂H₆
用途：乙硼烷是一種重要的硼源，廣泛應用於半導體摻雜製程，用於形成 P 型半導體材料。也可用於化學氣相沉積 (CVD) 製程。
特性：無色、具有刺激性氣味的劇毒氣體，在空氣中會自燃。
二氯矽烷 (Dichlorosilane)
英文名稱：Dichlorosilane
化學式：SiH₂Cl₂
用途：二氯矽烷是化學氣相沉積 (CVD) 製程中常用的矽源，用於沉積矽薄膜，特別是在外延生長和多晶矽沉積方面。
特性：無色、具有刺激性氣味的腐蝕性液體，在空氣中會釋放出氯化氫氣體。
雷射氣體 (Laser Gas)
英文名稱：Laser Gas(組成因應用而異)
化學式：組成因應用而異
用途：雷射氣體是各種工業和科研雷射器的活性介質。不同的雷射器使用不同的氣體混合物，例如氦氖雷射、氬離子雷射、準分子雷射等，用於蝕刻、切割、焊接、光刻等應用。
特性：雷射氣體的組成因應用而異，可能包含惰性氣體、鹵素氣體等。其特性取決於具體的氣體混合物。
溴化氫 (Hydrogen Bromide)
英文名稱：Hydrogen Bromide
化學式：HBr
用途：在半導體製造中，溴化氫可用於蝕刻某些材料，例如矽和金屬。也可用於化學氣相沉積 (CVD) 製程。
特性：無色、具有刺激性氣味的腐蝕性氣體，在潮濕空氣中會形成白霧。
電子級前驅材料
三甲基鋁 (Precursor)
英文名稱：Trimethylaluminum
化學式：(CH₃)₃Al
用途：三甲基鋁是一種重要的有機金屬化合物，在半導體製造中主要用作原子層沉積 (ALD) 和化學氣相沉積 (MOCVD) 製程中的鋁源，用於沉積氧化鋁 (Al₂O₃) 和其他含鋁薄膜。
特性：無色、易燃的液體，在空氣中會自燃，並與水劇烈反應。具有腐蝕性和毒性。
二氯乙烯（DCE）
英文名稱：Dichloroethylene
化學式：C₂H₂Cl₂
用途：半導體製程部分特殊清洗或蝕刻應用（但較少見，因毒性高）。
特性：無色透明液體，具甜味（但高濃度時有刺激性氣味），易燃，與空氣混合可能形成爆炸性氣體。
四氯化鈦（TiCl₄）
英文名稱：Titanium Tetrachloride
化學式：TiCl₄
用途：用於 CVD/ALD 製程，沉積 二氧化鈦（TiO₂） 或 氮化鈦（TiN） 薄膜。製造 鈦金屬 和 鈦白粉（TiO₂顏料） 的關鍵原料。
特性：無色至淡黃色液體，遇空氣會產生 白色煙霧（水解成HCl和TiO₂），強腐蝕性，與水劇烈反應，需在 乾燥環境 下操作。
正矽酸四乙酯（TEOS）
英文名稱：Tetraethyl Orthosilicate
化學式：Si(OC₂H₅)₄
用途：半導體製程中用於 CVD沉積二氧化矽（SiO₂） 絕緣層，製造 光學塗層、耐熱玻璃 和 陶瓷材料。
特性：無色液體，有 乙醇 般的氣味。
四甲基環四矽氧烷（TMCTS）
英文名稱：Tetramethylcyclotetrasiloxane
化學式：C₄H₁₂O₄Si₄
用途：用於 低介電常數（Low-k）材料 的沉積，減少晶片信號延遲。
特性：無色透明液體，揮發性高，在 等離子體增強CVD（PECVD） 中分解，形成 多孔SiOCH薄膜。
磷酸三乙酯（TEPO）
英文名稱：Triethyl Phosphate
化學式：C21H21O4P
用途：半導體製程中用於 摻雜磷（P） 的沉積，如 磷矽玻璃（PSG）。
特性：無色液體，具 酯類 氣味，化學穩定性高，但遇強酸強鹼會水解。
電子級化學品
氫氟酸 (HF)
英文名稱：Hydrofluoric Acid
化學式：HF
用途：氫氟酸在半導體製造中是一種非常重要的蝕刻劑，用於去除二氧化矽和其他介電質薄膜。也用於清洗和表面處理。
特性：無色、具有刺激性氣味的腐蝕性液體。即使是稀釋的氫氟酸也具有高度腐蝕性，且其腐蝕作用可能不會立即顯現。
硝酸 (HNO₃)
英文名稱：Nitric Acid
化學式：HNO₃
用途：硝酸在半導體製造中用於蝕刻金屬、清洗設備以及作為某些化學反應的試劑。
特性：無色至淡黃色的腐蝕性液體，具有刺激性氣味。在光照下會分解產生二氧化氮氣體。
氨水 (NH₄OH)
英文名稱：Ammonium Hydroxide
化學式：NH₄OH
用途：氫氧化銨的水溶液（氨水）在半導體製造中常用於清洗、蝕刻某些金屬、以及調節 pH 值。
特性：無色液體，具有強烈的氨臭味。屬於弱鹼性。
設備零配件
靶材 (Target)
英文名稱：Target
用途：靶材是物理氣相沉積 (PVD) 製程，如濺鍍 (Sputtering)，中的關鍵耗材。通過離子束轟擊靶材表面，將靶材材料濺射到基板上形成薄膜。靶材的材質決定了沉積薄膜的成分。
特性：靶材通常是高純度的金屬、合金或陶瓷材料，具有特定的尺寸和形狀，以適應不同的濺鍍設備。
石英 (Quartz) - 爐管類石英及石英舟
英文名稱：Quartz
用途：在半導體製造中，石英以其高純度、耐高溫和化學惰性，廣泛應用於爐管相關組件，如爐管本體，用於高溫熱處理、擴散和氧化等製程。石英舟 (Quartz Boat) 則作為晶圓在高溫製程中承載和傳輸的載具，其設計需能抵抗高溫和化學腐蝕，並減少對晶圓的污染。
特性：具有高熔點、優異的耐熱衝擊性、良好的電絕緣性以及對多數化學品的惰性。高純度的石英能最大限度地減少製程中的雜質引入。石英舟的設計會考量晶圓尺寸、數量和製程需求。
Si / SiC Ring
英文名稱：Silicon / Silicon Carbide Ring
用途：Si (矽) 和 SiC (碳化矽) 環在半導體蝕刻設備中常用作聚焦環 (Focus Ring) 或其他部件。它們用於控制電漿的均勻性、保護晶圓邊緣、以及提高蝕刻製程的穩定性和良率。
特性：矽和碳化矽都具有良好的耐化學腐蝕性、耐高溫性和電學特性。碳化矽通常比矽更堅硬、更耐磨。
TGCM / 槽車充填
TGCM / 槽車充填 (Total Gas & Chemical Management)
英文名稱：Total Gas & Chemical Management (TGCM)
用途：作為駐廠客服，TGCM (Total Gas & Chemical Management) 團隊在半導體製造廠內提供全面的氣體和化學品管理服務，包括監控供應系統、日常巡檢維護、故障排除、協助更換補充、安全操作培訓、緊急應變處理和客戶諮詢。槽車充填是其中一項關鍵操作，指安全地將大宗氣體或化學品從槽車注入客戶的儲存系統。
特性：駐廠客服需具備專業知識和技能，熟悉相關化學品和設備，嚴格遵守安全操作規程。槽車充填操作需要精密的設備和嚴謹的步驟，確保產品品質和操作安全。